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產(chǎn)品工藝逐步引進(jìn)SGT
發(fā)表時間: 2022-08-08 10:30:51
SGT MOSFET器件方案
a.最優(yōu)化的原胞結(jié)構(gòu)，采用最低的外延電阻率以獲得極低的Rsp;
b.采用自對準(zhǔn)工藝設(shè)計技術(shù)及上下結(jié)構(gòu)原胞，獲得高達(dá)645M/inch2高密度單胞，從而獲得極低的Rsp；
c.采用先進(jìn)DFN封裝獲得更好的散熱性能及導(dǎo)通電阻
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