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MOS行業(yè)動(dòng)態(tài)
技術(shù)進(jìn)步與新產(chǎn)品發(fā)布：不斷有公司宣布研發(fā)成功并發(fā)布新型的MOS管產(chǎn)品。這些新產(chǎn)品常常擁有更高的性能，如更低的導(dǎo)通電阻，更低的開(kāi)關(guān)損耗等。例如，東芝宣布的第三代SiC MOSFET，具有全新的器件結(jié)構(gòu)，相比第二代產(chǎn)品，開(kāi)關(guān)損耗降低了約20%。
產(chǎn)能與投資：隨著市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，各大公司也在紛紛擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足市場(chǎng)需求。例如，東芝投資55億用于功率器件擴(kuò)產(chǎn)，包括建設(shè)8英寸的碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線。這樣的投資不僅提高了公司的生產(chǎn)能力，也有助于推動(dòng)MOS管技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。
市場(chǎng)應(yīng)用與前景：隨著新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電等行業(yè)的快速發(fā)展，MOS管的市場(chǎng)需求也在持續(xù)增長(zhǎng)。中金公司預(yù)測(cè)，隨著這些重點(diǎn)行業(yè)終端出貨量的快速成長(zhǎng)，以及SiC滲透率的提升，2022-2024年SiC器件市場(chǎng)規(guī)模有望迎來(lái)增速最快的三年周期。
國(guó)內(nèi)公司的發(fā)展動(dòng)態(tài)：在國(guó)內(nèi)，也有公司在MOS管領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)展。例如，成都方舟微電子專(zhuān)注于耗盡型MOSFET的研發(fā)，他們的產(chǎn)品以高性能和高可靠性著稱(chēng)，且擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)，在高閾值電壓以及超高閾值電壓產(chǎn)品研發(fā)中走在行業(yè)前沿。
總的來(lái)說(shuō)，MOS管行業(yè)在不斷發(fā)展，技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)能提升、市場(chǎng)拓展等方面都有許多新聞動(dòng)態(tài)。
